Le MOSFET I –Introduction.
Le courant de grille sera considérénul : iG ≈0. 5 I –Introduction a. ... •au niveau de la source : vGS, •au niveau du drain: vGS – vDS; du fait du potentiel appliqué entre drain et source, la chute de tension vDS étant répartie sur toute la longueur du canal. vGS v GSvDS le canal a une forme penchée, sa résistance augmente avec vDS. 10 iD (mA) vDS (V) vDS = vGSVtn vGS ≤≤ ...
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